MOSFET: načelo djelovanja i opseg

Proučavanje svojstava materijala kao što jepoluvodiča, dopušteno je napraviti revolucionarna otkrića. S vremenom su se pojavile tehnologije koje omogućuju industrijsku proizvodnju dioda, MOS tranzistora, tiristora i drugih elemenata. Uspješno su zamijenili elektroničke svjetiljke i dopustili da ostvare najhitnije ideje. Poluvodički elementi se koriste u svim sferama našeg života. Oni nam pomažu obraditi ogromne količine informacija, računala, magnetofona, TV prijemnika itd., Proizvedeni na temelju njih.

Od izuma prvog tranzistora i ovogabio je 1948., bilo je dugo vremena. Postoje varijacije ovog elementa: točke poput germanija, silicija, polja ili MOS tranzistora. Svi su oni naširoko koristi u radio elektroničkoj opremi. Proučavanje svojstava poluvodiča ne prestaje u našem vremenu.

Ove studije dovele su do pojave takvih apoput MOSFET-a. Njegov princip rada temelji se na činjenici da je električno polje (dakle drugo ime - polje) mijenja vodljivost površine poluvodičkog sloja na granici s dielektrika. Ova se nekretnina koristi u elektroničkim sklopovima za razne svrhe. MOSFET ima takvu strukturu koja omogućuje smanjenje otpora između odvoda i izvora pod djelovanjem kontrolnog signala na gotovo nulu.

Njegova svojstva razlikuju se od bipolarnog "natjecatelja". Oni određuju opseg njegove primjene.

• Visoke performanse pružaminijaturiranje samog kristala i njezina jedinstvena svojstva. To je zbog nekih poteškoća u industrijskoj proizvodnji. U današnje vrijeme proizvedeni su kristali s otvorom od 0,06 um.
• Mali prolazni kapacitet omogućava tim uređajima rad u visokofrekventnim krugovima. Na primjer, LSI s njihovom upotrebom uspješno se koristi u mobilnim komunikacijama.
• Gotovo otpor nula, koji imaMOSFET u otvorenom stanju, omogućuje vam da ga koristite kao elektronski ključ. Oni mogu raditi u shemama za generiranje visokofrekventnih signala ili za manevarske elemente poput operativnih pojačala.
• Snažni instrumenti ove vrste uspješno se koriste u moćnim modulima i mogu ući u indukcijske krugove. Dobar primjer njihove upotrebe može biti pretvarač frekvencije.

Pri projektiranju i radu s takvim elementimapotrebno je uzeti u obzir neke značajke. MOSFET-ovi su osjetljivi na preokrenuti prenapon i lako propadaju. Kod sklopova s ​​induktivnošću, Schottky-diode s brzim djelovanjem obično se upotrebljavaju za izravnavanje inverznog impulsa koji se javlja prilikom prebacivanja.

Izgledi za korištenje tih uređaja su dovoljnisuper. Poboljšanje tehnologije njihove proizvodnje ide na putu smanjenja kristala (skaliranje zatvarača). Postupno, postoje uređaji koji mogu kontrolirati sve jače i snažnije elektromotore.